Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P защитный диод

Биполярный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P — высокопроизводительный n-канальный силовой транзистор с изолированным затвором, предназначенный для управления высоковольтными и высокотоковыми нагрузками. Благодаря максимальному напряжению коллектор-эмиттер 1200 В и максимальному току 50 А этот транзистор широко используется в промышленных инверторах, преобразователях, приводах двигателей и системах питания. Встроенный защитный диод обеспечивает дополнительную защиту и повышает надежность работы устройства даже в условиях высоких нагрузок. Надежный корпус TO-3P способствует эффективному теплоотводу, что критически важно для стабильной работы транзистора.

Преимущества

• Высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В
• Максимальный ток коллектор-эмиттер до 50 А
• Изолированный затвор (IGBT) для эффективного управления
• Встроенный защитный диод с прямым током 25 А
• Корпус TO-3P с улучшенным теплоотводом
• Высокая надежность и долговечность в эксплуатации

Сферы применения

• Промышленные инверторы и преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Мощные блоки питания
• Энергетическое оборудование
• Ремонт и разработка силовой электроники

Основные характеристики

• Модель: FGA25N120
• Тип корпуса: TO-3P
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
• Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А
• Управляющее напряжение затвора: 5.5 В
• Прямой ток диода: 25 А
• Тип транзистора: IGBT (изолированный затвор)

Комплектация

• IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P с встроенным защитным диодом