Особенности:
Жидкокристаллический дисплей 128х64 с зеленой подсветкой.
Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.
Поставляется без корпуса (КІТ).
Питание 9V от батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).
Разряжайте конденсаторы до тестирования!
Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.
Измеритель индуктивности
1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки. Автоматическое выключение после теста.
2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
4. Диапазон измерения емкости составляет от 25рF до 100mF и точностью 1%.
5. Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.
Тестер транзисторов
6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.
7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.
8. Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и порогового напряжения база – эмиттер.
9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.
Мультитестер полупроводников
10. Идентификация транзисторов Дарлингтона.
11. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET транзисторах.
12. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
ESR измеритель
13. Измерение двойных резисторов (потенциометров) с отображение на дисплее символов резистора.
14. Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение каждого перехода.
15. Определение комбинированных светодиодов.
16. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением не более 4.5V.
