Фотоэлектрический датчик, диффузный, 100 мм, NPN, Lon пластиковый, разъем M12, SS2/LN-0E Micro detectors

Фотоэлектрический датчик, диффузный, 100 мм, NPN, Lon пластиковый, разъем M12, SS2/LN-0E Micro detectors

ТЕХНИЧЕСКИЕ ДЕТАЛИ
свойства обнаружения
Номинальная расстояние обнаружения 100мм
Тепловой дрейф ≤10% Sr
Воспроизводимость 5%
Регулировка чувствительности Ни
приложение
Принцип работы Прямая диффузия (короткое расстояние, ≤200 мм)
Примечания Целевой белый 90% Kodak 100x100мм
Осевое оптическое положения
выходы
Тип выхода NPN
Функция вывода LO
Частота коммутации 250Гц
электрические данные
Напряжение питания 10-30В постоянного тока
Поглощение вакуума ≤30mA
Ток нагрузки ≤100mA
Ток утечки ≤10 мкА
Падение напряжения на выходе 1,2 В макс. ИЛ = 100 мА
Максимальная остаточная пульсация 10%
Желтые светодиодные индикаторы (исходное состояние)
Задержка доступности ≤200 мс
Защита от короткого замыкания Так
Защита от обратной полярности Так
Инфракрасное светодиодное излучение
Иммунитет окружающего света 3000lux (лампа накаливания), 10000lux (солнечный свет)
Защита от импульсных перенапряжений Так
механические данные
Размеры M18 x 1 / L = 78мм
вес 30г
PBT материал корпуса
Подключение M12 4pin разъем
Материал активной части ПММА
Крутящий момент затяжки 1 Нм
Рабочая температура - 25 ° C ... + 70 ° C (без конденсата)
Диаметр / Размеры M18
Тестирование / Сертификаты
Сертификаты CE, cULus
Электромагнитная совместимость EN 60947-5-2
Удар и вибрация IEC 60068-2-6 вибрация / IEC 60068-2-47
Степень защиты IP67