Чип IRF640N (TO220) полевой транзистор

N-канальный MOSFET (полевой транзистор)

Характеристики

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
• Время нарастания (tr): 60(max) ns
• Выходная емкость (Cd): 750(max) pf
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
• Тип корпуса: ТО220

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное - током через транзистор.

Поскольку транзистор называется "полевым", управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF640N полевой N-канальный 200V 18A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.