Безкоштовна доставка Rozetka + Prom
Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414) - изображение 4
Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414) - изображение 1
Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414) - изображение 2
Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414) - изображение 3
Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414) - изображение 4
Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414) - изображение 1
1/4

Полевой транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB с изолированным затвором 60V 210A (0414)

Код :  398661573

Есть в наличии

84

  • 84 за 1 шт  /  84 за 1 шт
Безкоштовна доставка лише 50 ₴/міс.
  • Самовывоз из Новой Почты

    Тариф перевозчика

  • Самовывоз из почтоматов Новой Почты

    Тариф перевозчика

  • Курьер Новой Почты

    Тариф перевозчика

Оплата. Оплата при получении товара, Apple Pay, Google Pay, Оплата картой Visa/MasterCard, Оплата на счет продавца, Предоплата на карту продавца, Оплатити зараз Карткою Rozetka, КК - инстолмент
В настоящий момент использование бонусов на данный товар недоступно.
Гарантия. 14 дней. Обмен/возврат товара в течение 14 дней. 
 
 
 

Описание

Транзистор MOSFET IRFB3206 - это N-канальный полевой транзистор, который может использоваться для управления электрическим током в электронных схемах. Вот некоторые из его характеристик и особенностей:

  1. Тип транзистора: MOSFET - Это тип полевого транзистора, который обычно используется для усиления и управления электрическим током.
  2. Полярность: N - Это означает, что транзистор является N-канальным, что подразумевает, что управление осуществляется при подаче напряжения на затвор.
  3. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300W - Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.
  4. Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60V - Это максимальное напряжение между стоком и истоком в закрытом состоянии.
  5. Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20V - Это максимальное напряжение, которое можно подать на затвор для управления транзистором.
  6. Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4V - Это напряжение, при котором транзистор начинает включаться.
  7. Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 210A - Это максимальный постоянный ток, который транзистор может переносить без перегрева.
  8. Максимальная температура канала (Tj): 175°C - Это максимальная температура, которую транзистор может выдержать во время работы.
  9. Общий заряд затвора (Qg): 120nC - Это общий заряд, который требуется для управления затвором транзистора.
  10. Время нарастания (tr): 82ns - Это время, которое требуется транзистору для перехода из открытого состояния в закрытое.
  11. Выходная емкость (Cd): 720pF - Это емкость между стоком и затвором транзистора.
  12. Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm - Это сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор находится в открытом состоянии.
  13. Тип корпуса: TO220AB - Это тип корпуса, который удобно монтировать на радиатор для отвода тепла.

Этот транзистор может использоваться в различных приложениях, где требуется управление большими токами и напряжениями, например, в силовых блоках, инверторах, источниках питания и других электронных устройствах.

Характеристики

Количество в упаковке
  • 1 шт
Дополнительные характеристики
  • изготовлен на основе кремния, между истоком и стоком встроен защитный диод
Комплектация
  • Полевой транзистор MOSFET IRFB3206
Гарантия
  • 14 дней
Страна-производитель товара

Отзывы и вопросы

Отзывов еще нет

Станьте первым, кто поделится своим мнением!