Транзистор IGBT FGH60N60SMD (ТІ0010)

Name: Транзистор IGBT FGH60N60SMD (ТІ0010)
Brand: ON Semiconductor
SKU: 414990636
Price: 260 UAH
Availability: InStock

Есть в наличии

Оставить отзыв

Код: 414990636

260₴

+1% бонусних ₴ при оплаті Карткою Rozetka

Rozetka

от 26 ₴ x 10

Самовывоз из Новой Почты
Средний срок доставки 2 дня
Средний срок доставки 2 дня
Тариф перевозчика
Самовывоз из почтоматов Новой Почты
Средний срок доставки 2 дня
Средний срок доставки 2 дня
Тариф перевозчика
Самовывоз из УКРПОЧТЫ
Средний срок доставки 5 дней
Средний срок доставки 5 дней
Тариф перевозчика
Курьер Новой Почты
Тариф перевозчика

Оплата. Оплата при получении товара, Apple Pay, Google Pay, Оплата картой Visa/MasterCard, Оплата на счет продавца, Оплатити зараз Карткою Rozetka, Предоплата на карту продавца
В настоящий момент использование бонусов на данный товар недоступно.

Гарантия. Обмен/возврат товара в течение 14 дней.

Описание

Наименование: FGH60N60SMD

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 47

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 270

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 189
Тип корпуса: TO247

Отзывы и вопросы

Отзывов еще нет

Станьте первым, кто поделится своим мнением!