G30N60A4 (HGTG30N60A4) — это мощный N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высокочастотных и высоковольтных коммутационных приложений. Объединяет преимущества MOSFET (высокое входное сопротивление) и биполярного транзистора (низкие потери при проводимости). Используется в сварочных аппаратах, ИБП, инверторах, источниках питания и промышленной автоматике.
⚙️ Характеристики
• Модель: G30N60A4 / HGTG30N60A4
• Тип: IGBT-транзистор (N-канальный)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V<sub>CES</sub>): 600 В
• Макс. ток коллектора (I<sub>C</sub>): 60 А при T<sub>C</sub> = 110°C
• Напряжение насыщения (V<sub>CE(sat)</sub>): 1.8 В при I<sub>C</sub> = 30 А
• Типичное время спада (Fall Time): 58 нс при T<sub>J</sub> = 125°C
• Корпус: TO-247
• Мощность рассеивания (P<sub>tot</sub>): до 463 Вт
• Температурный диапазон: –55°C до +150°C
• Применение: сварочные инверторы, ИБП, драйверы, источники питания, промышленная электроника
Отзывов еще нет
Станьте первым, кто поделится своим мнением!