BSC072N08NS5 - высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор серии OptiMOSTM 5, предназначен для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями, зарядных устройствах и другой силовой электронике. За счет низкого сопротивления открытого канала, высокой скорости переключения и оптимизированных потерь проводимости транзистор обеспечивает высокую эффективность работы в современных энергетических системах. Компактный корпус TDSON-8 (5x6 мм) позволяет использовать компонент в устройствах с ограниченным пространством монтажа.
Документация: https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-bsc072n08ns5-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c
Технические характеристики:
Тип транзистора: N-Channel MOSFET
Серия: OptiMOSTM 5
Максимальное напряжение стик-вилка (VDS): 80 В
Максимальный ток стока (ID): 47 А
Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 69 Вт
Сопротивление открытого канала RDS(on): 7.2 мОм (типовое значение)
Максимальное напряжение затвор-вытек (VGS): ±20 В
Рабочая температура перехода: от -55°C до +150°C
Корпус: TDSON-8 (5x6 мм)
Тип монтажа: поверхностный (SMD)
Количество выводов: 8
Полярность: N-канальный
Соответствие RoHS: да
Применение:
DC-DC преобразователи
Импульсные источники питания (SMPS)
Зарядные устройства для аккумуляторов
Контроллеры электродвигателей
Системы бесперебойного питания (UPS)
Инверторы и преобразователи напряжения
Отзывов еще нет
Станьте первым, кто поделится своим мнением!