Полевой транзистор HYG011N04LS1TA — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в мощных электронных схемах, источниках питания, инверторах и системах управления.
Благодаря низкому сопротивлению канала и высокой пропускной способности тока транзистор обеспечивает эффективную работу с минимальными потерями энергии. Корпус формата TOLL способствует лучшему теплоотведению и стабильной работе даже при высоких нагрузках.
Идеально подходит для применения в автомобильной электронике, DC-DC преобразователях, зарядных устройствах и других мощных электронных устройствах.
Преимущества:
- Высокий ток до 320A
- Низкое сопротивление открытого канала
- Стабильная работа при высоких температурах
- Эффективное теплоотведение (корпус TOLL)
- Подходит для мощных электронных схем
- Надёжность и долговечность
Технические характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение drain-source (Uds): 40 В
- Максимальное напряжение gate-source (Ugs): 20 В
- Максимальный импульсный ток (Id): 660 А
- Максимальный постоянный ток (Id): 165 А
- Рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт
- Максимальная температура перехода: 175°C
- Сопротивление канала (Rds): 0.001 Ом
- Выходная ёмкость: 1278 пФ
- Время нарастания: 98 нс
Корпус и изготовление:
- Тип корпуса: TOLL
- Маркировка: G011N04
- Модель: HYG011N04LS1TA
Отзывов еще нет
Станьте первым, кто поделится своим мнением!