Транзистор IGBT FGA25N120 TO3P 312796 03 AT3

Биполярный n-канальный транзистор FGA25N120 с изолированным затвором (IGBT) и встроенным защитным диодом представляет собой высококачественный электронный компонент. Этот мощный транзистор специально разработан для применения в современных индукционных плитах и других силовых электронных устройствах, где требуется высокая надежность и эффективность коммутации больших токов. Данная модель выполнена в корпусе типа TO-3P (также совместима с TO-3PF) и обладает отличными техническими характеристиками. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, а максимальный ток коллектор-эмиттер достигает 50 А. Управляющее напряжение устройства составляет 5.5 В, а прямой ток встроенного защитного диода равен 25 А. Такие параметры обеспечивают стабильную работу компонента под значительными нагрузками. В комплект поставки входит один транзистор. Товар произведен в Китае с соблюдением стандартов качества для полупроводниковых приборов. Данный транзистор является оптимальным выбором для ремонта и обслуживания бытовой техники, в частности индукционных варочных поверхностей.