IRF9Z34N — мощный P-канальный полевой MOSFET-транзистор, предназначенный для коммутации и управления нагрузками в электронных устройствах. Может применяться в источниках питания, преобразователях напряжения, зарядных устройствах, схемах управления двигателями, системах автоматизации и другой силовой электронике.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток до 55 В и постоянный ток стока до 19 А. Сопротивление открытого канала RDS(on) составляет около 0.1 Ом, что позволяет снизить потери мощности при коммутации нагрузки.
Корпус TO-220AB обеспечивает эффективный отвод тепла и позволяет устанавливать транзистор на дополнительный радиатор при работе с повышенной мощностью.
Характеристики:
Модель: IRF9Z34N
• Тип: полевой транзистор MOSFET
• Полярность канала: P-Channel
• Максимальное напряжение сток-исток VDS: 55 В
• Максимальный постоянный ток стока ID: 19 А
• Напряжение затвор-исток VGS: ±20 В
• Пороговое напряжение затвора VGS(th): до 4 В
• Сопротивление открытого канала RDS(on): около 0.1 Ом
• Максимальная рассеиваемая мощность: 68 Вт
• Общий заряд затвора Qg: до 35 нКл
• Время нарастания: около 55 нс
• Выходная емкость Coss: около 280 пФ
• Максимальная температура кристалла: +175 °C
• Корпус: TO-220AB
• Тип монтажа: выводной THTПрименение:
Импульсные источники питания
• DC-DC преобразователи
• Зарядные устройства
• Управление электродвигателями
• Силовые электронные ключи
• Системы автоматизации
• Ремонт электронной техникиКомплектация:
MOSFET-транзистор IRF9Z34N — 1 шт.
Отзывов еще нет
Станьте первым, кто поделится своим мнением!