Біполярний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P захисний діод

Біполярний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P — високопродуктивний n-канальний силовий транзистор із ізольованим затвором, призначений для керування високовольтними і високострумовими навантаженнями. Завдяки максимальному напрузі колектор-емітер 1200 В і максимальному струму 50 А цей транзистор широко використовується в промислових інверторах, перетворювачах, двигунозапускачах і системах живлення. Вбудований захисний діод забезпечує додатковий захист і підвищує надійність роботи пристрою навіть в умовах високих навантажень. Надійний корпус TO-3P сприяє ефективному тепловідведенню, що є критично важливим для стабільної роботи транзистора.

Переваги

• Високе максимальне напруження колектор-емітер — 1200 В
• Максимальний струм колектор-емітер до 50 А
• Ізольований затвор (IGBT) для ефективного керування
• Вбудований захисний діод із прямим струмом 25 А
• Корпус TO-3P із покращеним тепловідведенням
• Висока надійність і довговічність в експлуатації

Сфери використання

• Промислові інвертори та перетворювачі
• Системи керування електродвигунами
• Джерела безперебійного живлення (UPS)
• Потужні блоки живлення
• Енергетичне обладнання
• Ремонт та розробка силової електроніки

Основні характеристики

• Модель: FGA25N120
• Тип корпусу: TO-3P
• Максимальне напруга колектор-емітер: 1200 В
• Максимальний струм колектор-емітер: 50 А
• Управляюче напруга затвора: 5.5 В
• Прямий струм діода: 25 А
• Тип транзистора: IGBT (ізольований затвор)

Комплектація

• IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P з вбудованим захисним діодом