Транзистор 2N60C (FQPF2N60C) N-MOSFET; польовий; 600В; 2А; 23Вт; TO220F

FQPF2N60C є N-канальним, силовим МОН-транзистором QFET® з режимом збагачення і використанням запатентованої і технології DMOS від компанії Fairchild Semiconductor. Ця вдосконалена технологія МДН-транзистора була спеціально розроблена для зниження опору в активному стані, забезпечення відмінних характеристик перемикання і високого рівня енергетичної сили лавинного процесу. Він підходить для імпульсних джерел живлення, активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) і електронних лампових баластів.

• Низький рівень заряду затвора (8.5 нКл)

• Низький рівень Crss 4.3 пФ

• Лавинне тестування 100%

Технічні параметри

Максимальна робоча температура +150 °C

Максимальний безперервний струм стоку 2 A

Тип корпусу TO-220F

Максимальне розсіювання потужності 23 W

Тип монтажу Монтаж на плату в отвори

Ширина 4.7

Висота 9.19 мм

Розміри 10.16 x 4.7 x 9.19 мм

Матеріал транзистора Кремній

Кількість елементів на ІС 1

Довжина 10.16 мм

Transistor Configuration Одинарний

Типовий час затримки включення 9 нс

Виробник ON Semiconductor

Типовий час затримки вимкнення 24 ns

Серія QFET

Мінімальна робоча температура -55 °C

Minimum Gate Threshold Voltage 2V

Максимальний опір стік-витік 4.7 Ω

Максимальна напруга стік-витік 600 В

Число контактів 3

Категорія Потужний МОП-транзистор

Типовий заряд затвора при Vgs 8.5 nC @ 10 V

Номер каналу Підняття

Типова вхідна ємність при Vds 180 пФ при 25

Тип каналу N

Максимальна напруга затвор-витік -30 V, +30 V

Id - безперервний струм витоку 2 A

Pd - розсіювання потужності 23 W

Rds Вкл - опір стік-витік 4.7 Ohms

Vds - напруга пробою стік-витік 600 V

Vgs - напруга затвор-витік 30 V

Вид монтажу Through Hole

Час наростання 25 ns

Час спаду 28 ns

Висота 16.07 mm

Довжина 10.36 mm

Інші назви товару № FQPF2N60C_NL

Канальний режим Enhancement

Категорія продукту МОП-транзистор

Кількість каналів 1 Channel

Комерційне позначення QFET

Конфігурація Single

Крутизна характеристики прямої передачі - Хв. 5 S

Максимальна робоча температура + 150 C

Мінімальна робоча температура 55 C

Підкатегорія MOSFETs

Полярність транзистора N-Channel

Розмір фабричної упаковки 1000

Серія FQPF2N60C

Технологія Si

Тип MOSFET

Тип продукту MOSFET

Тип транзистора 1 N-Channel

Типовий час затримки вимкнення 24 ns

Типовий час затримки при включенні 9 ns

Торгова марка ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка Tube

Упаковка / блок TO-220FP-3

Ширина 4.9 mm