N-канальний MOSFET (польовий транзистор)
Характеристики
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярність: N
- Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 125 W
- Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 200 V
- Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
- Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 4 V
- Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 18 A
- Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
- Загальний заряд затвора (Qg): 36 nC
- Час наростання (tr): 60 (max) ns
- Вихідна ємність (Cd): 750(max) pf
- Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
- Тип корпусу: ТО220
Змінюючи полярність і рівень напруги до затвора, можна керувати звуженням або розширенням каналу, внутрішнім опором, найголовніше - струмом через транзистор.
Оскільки транзистор називається "польовим", управління виробляється електричним полем, а не струмом бази, як у біполярному транзисторі. Це дозволяє витрачати додаткову енергію.
Транзистор IRF640N допускає підключення трьома способами: із загальним затвором, із загальним стоком, із загальним витоком.
Вхід польового транзистора має значний опір, що дозволяє підключати високоомне джерело електричних коливань.
Відгуків ще немає
Станьте першим, хто поділиться своєю думкою!