Безкоштовна доставка Rozetka + Prom
Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414) - зображення 4
Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414) - зображення 1
Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414) - зображення 2
Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414) - зображення 3
Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414) - зображення 4
Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414) - зображення 1
1/4

Польовий транзистор MOSFET IRFB3206 N-канал корпус TO220AB з ізольованим затвором 60V 210A (0414)

Код :  398661573

Є в наявності

84

  • 84 за 1 шт  /  84 за 1 шт
Безкоштовна доставка лише 50 ₴/міс.
  • Самовивіз з Нової Пошти

    Тариф перевізника

  • Самовивіз з поштоматів Нової Пошти

    Тариф перевізника

  • Кур'єр Нової Пошти

    Тариф перевізника

Оплата. Оплата під час отримання товару, Apple Pay, Google Pay, Оплата карткою Visa/MasterCard, Оплата на рахунок продавця, Передплата на картку продавця, Оплатити зараз Карткою Rozetka, Кредит
На даний момент використання бонусів на цей товар недоступне.
Гарантія. 14 днів. Обмін/повернення товару впродовж 14 днів. 
 
 
 

Опис

Транзистор MOSFET IRFB3206 - це N-канальний польовий транзистор, який можна використовувати для керування електричним струмом в електронних схемах. Ось деякі з його характеристик і особливостей:

  1. Тип транзистора: MOSFET - Це тип польового транзистора, який зазвичай використовують для посилення та керування електричним струмом.
  2. Полярність: N - Це означає, що транзистор є N-канальним, що має на увазі, що управління здійснюється під час подачі напруги на затвор.
  3. Максимальна розсіювана потужність (Pd): 300W - Це максимальна потужність, яку транзистор може розсіювати без перегріву.
  4. Гранично допустима напруга стік-істок (|Uds|): 60V - Це максимальна напруга між стоком і витоком у закритому стані.
  5. Гранично допустима напруга затвор-істок (|Ugs|): 20V - Це максимальна напруга, яку можна подати на затвор для керування транзистором.
  6. Порогова напруга увімкнення (|Ugs(th)|): 4V - Це напруга, за якої транзистор починає вмикатися.
  7. Максимально допустимий постійний струм стоку (|Id|): 210A - Це максимальний постійний струм, який транзистор може переносити без перегріву.
  8. Максимальна температура каналу (Tj): 175°C - Це максимальна температура, яку транзистор може витримати під час роботи.
  9. Загальний заряд затвора (Qg): 120nC - Це загальний заряд, який потрібен для керування затвором транзистора.
  10. Час наростання (tr): 82ns - Це час, який потрібен транзистору для переходу з відкритого стану в закритий.
  11. Вихідна ємність (Cd): 720pF - Це ємність між стоком і затвором транзистора.
  12. Опір стік-істок відкритого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm - Це опір між стоком і витоком, коли транзистор перебуває у відкритому стані.
  13. Тип корпусу: TO220AB - Це тип корпусу, який зручно монтувати на радіатор для відведення тепла.

Цей транзистор можна використовувати в різних застосунках, де потрібне керування великими струмами та напругами, наприклад, у силових блоках, інверторах, джерелах живлення та інших електронних пристроях.

Характеристики

Кількість в упаковці
  • 1 шт
Додаткові характеристики
  • виготовлений на основі кремнію, між витоком і стоком вбудований захисний діод
Комплектація
  • Польовий транзистор MOSFET IRFB3206
Гарантія
  • 14 днів
Країна-виробник товару

Відгуки та питання

Відгуків ще немає

Станьте першим, хто поділиться своєю думкою!