Транзистор FGAF40N60SMD

Транзистор IGBT FGAF40N60SMD (80 А, 600 В, 115 Вт)

Високопродуктивний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) FGAF40N60SMD від провідного виробника ON Semiconductor (раніше Fairchild) призначений для використання в потужних електронних схемах. Цей компонент поєднує в собі переваги польових (високий вхідний опір) та біполярних (низька напруга насичення) транзисторів, що забезпечує високу ефективність та надійність.

Основні характеристики та переваги:

• Високі показники потужності: Максимальний постійний струм колектора становить 80 А при 25°C та 40 А при 100°C. Максимальна розсіювана потужність — 115 Вт.

• Надійність та безпека: Максимально допустима напруга колектор-емітер — 600 В, що робить його придатним для високовольтних застосувань.

• Низька напруга насичення: Типова напруга насичення колектор-емітер Vce(on) складає всього 1.9 В (при 40 А, 25°C), мінімізуючи втрати потужності у відкритому стані.

• Міцний корпус: Виконаний в ізольованому корпусі TO-3PF, який спрощує монтаж та тепловідведення.

Транзистор FGAF40N60SMD є ідеальним рішенням для ремонту та виробництва зварювальних інверторів, імпульсних джерел живлення, систем управління двигунами та інших потужних ключових застосувань.