Транзистор G30N60A4

G30N60A4 (HGTG30N60A4) — це потужний N-канальний IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором), призначений для високочастотних і високовольтних комутаційних застосувань. Поєднує переваги MOSFET (високий вхідний опір) і біполярного транзистора (низькі втрати при провідності). Використовується в зварювальних апаратах, ДБЖ, інверторах, блоках живлення та промисловій автоматизації.

⚙️ Характеристики

• Модель: G30N60A4 / HGTG30N60A4

• Тип: IGBT-транзистор (N-канальний)

• Макс. напруга колектор-емітер (VCES): 600 В

• Макс. струм колектора (IC): 60 А при TC = 110°C

• Напруга насичення (VCE(sat)): 1.8 В при IC = 30 А

• Типовий час спаду (Fall Time): 58 нс при TJ = 125°C

• Корпус: TO-247

• Потужність розсіювання (Ptot): до 463 Вт

• Маркировка: E20ED1

• Температурний діапазон: –55°C до +150°C

• Застосування: зварювальні інвертори, ДБЖ, драйвери, блоки живлення, промислова електроніка