BSC072N08NS5 - високопродуктивний N-канальний MOSFET-транзистор серії OptiMOS™ 5, призначений для використання в імпульсних джерелах живлення, DC-DC перетворювачах, системах керування двигунами, зарядних пристроях та іншій силовій електроніці. Завдяки низькому опору відкритого каналу, високій швидкості перемикання та оптимізованим втратам провідності транзистор забезпечує високу ефективність роботи в сучасних енергетичних системах. Компактний корпус TDSON-8 (5x6 мм) дозволяє використовувати компонент у пристроях з обмеженим простором монтажу.
Документація: https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-bsc072n08ns5-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c
Технічні характеристики:
Тип транзистора: N-Channel MOSFET
Серія: OptiMOS™ 5
Максимальна напруга стік-витік (VDS): 80 В
Максимальний струм стоку (ID): 47 А
Максимальна розсіювана потужність (Ptot): 69 Вт
Опір відкритого каналу RDS(on): 7.2 мОм (типове значення)
Максимальна напруга затвор-витік (VGS): ±20 В
Робоча температура переходу: від -55°C до +150°C
Корпус: TDSON-8 (5x6 мм)
Тип монтажу: поверхневий (SMD)
Кількість виводів: 8
Полярність: N-канальний
Відповідність RoHS: так
Застосування:
DC-DC перетворювачі
Імпульсні джерела живлення (SMPS)
Зарядні пристрої для акумуляторів
Контролери електродвигунів
Системи безперебійного живлення (UPS)
Інвертори та перетворювачі напруги
Відгуків ще немає
Станьте першим, хто поділиться своєю думкою!