Польовий транзистор HYG011N04LS1TA — це високопродуктивний N-канальний MOSFET, призначений для використання в потужних електронних схемах, джерелах живлення, інверторах та системах керування.
Завдяки низькому опору каналу та високій пропускній здатності струму транзистор забезпечує ефективну роботу з мінімальними втратами енергії. Корпус формату TOLL сприяє кращому тепловідведенню та стабільній роботі навіть при високих навантаженнях.
Ідеально підходить для застосування в автомобільній електроніці, DC-DC перетворювачах, зарядних пристроях та інших потужних електронних пристроях.
Переваги:
- Високий струм до 320A
- Низький опір відкритого каналу
- Стабільна робота при високих температурах
- Ефективне тепловідведення (корпус TOLL)
- Підходить для потужних електронних схем
- Надійність та довговічність
Технічні характеристики:
- Тип транзистора: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга drain-source (Uds): 40 В
- Максимальна напруга gate-source (Ugs): 20 В
- Максимальний імпульсний струм (Id): 660 А
- Максимальний постійний струм (Id): 165 А
- Розсіювана потужність (Pd): 75 Вт
- Максимальна температура переходу: 175°C
- Опір каналу (Rds): 0.001 Ом
- Вихідна ємність: 1278 пФ
- Час наростання: 98 нс
Корпус та виконання:
- Тип корпусу: TOLL
- Маркування: G011N04
- Модель: HYG011N04LS1TA
Відгуків ще немає
Станьте першим, хто поділиться своєю думкою!