Транзистор IGBT FGA25N120 TO3P 312796 03 AT3

Біполярний n-канальний транзистор FGA25N120 з ізольованим затвором (IGBT) та вбудованим захисним діодом є високоякісним електронним компонентом. Цей потужний транзистор спеціально розроблений для використання в сучасних індукційних плитах та інших силових електронних пристроях, де необхідна висока надійність та ефективність комутації великих струмів. Дана модель виконана в корпусі типу TO-3P (також сумісна з TO-3PF) та має відмінні технічні характеристики. Максимальна напруга колектор-емітер становить 1200 В, а максимальний струм колектор-емітер досягає 50 А. Керуюча напруга пристрою становить 5.5 В, а прямий струм вбудованого захисного діода дорівнює 25 А. Такі параметри забезпечують стабільну роботу компонента під значними навантаженнями. У комплект поставки входить один транзистор. Товар виготовлений у Китаї з дотриманням стандартів якості для напівпровідникових приладів. Цей транзистор є оптимальним вибором для ремонту та обслуговування побутової техніки, зокрема індукційних варильних поверхонь.