Осінні пропозиції. Купуйте необхідне до сезону
Транзистор IRF9Z34N MOSFET P-канальний 55В 19А 0.1 Ом TO-220 - зображення 2
Транзистор IRF9Z34N MOSFET P-канальний 55В 19А 0.1 Ом TO-220 - зображення 1
Транзистор IRF9Z34N MOSFET P-канальний 55В 19А 0.1 Ом TO-220 - зображення 2
Транзистор IRF9Z34N MOSFET P-канальний 55В 19А 0.1 Ом TO-220 - зображення 1
1/2

Транзистор IRF9Z34N MOSFET P-канальний 55В 19А 0.1 Ом TO-220

Код :  616957088

Є в наявності

19₴

Безкоштовна доставка лише 50 ₴/міс.
  • Самовивіз з Нової Пошти

    Тариф перевізника

  • Самовивіз з поштоматів Нової Пошти

    Тариф перевізника

  • Самовивіз з Meest ПОШТА

    Тариф перевізника

  • Самовивіз з УКРПОШТИ

    Тариф перевізника

  • Кур'єр Meest ПОШТА

    Тариф перевізника

Оплата. Оплата під час отримання товару, Apple Pay, Google Pay, Оплата карткою Visa/MasterCard, Передплата на картку продавця, Оплата на рахунок продавця, Оплатити зараз Карткою Rozetka
На даний момент використання бонусів на цей товар недоступне.
Гарантія. Обмін/повернення товару впродовж 14 днів. 
 
 
 

Опис

IRF9Z34N — потужний P-канальний польовий MOSFET-транзистор, призначений для комутації та керування навантаженнями в електронних пристроях. Може застосовуватися в джерелах живлення, перетворювачах напруги, зарядних пристроях, схемах керування двигунами, системах автоматизації та іншій силовій електроніці.

Транзистор розрахований на напругу стік-витік до 55 В та постійний струм стоку до 19 А. Опір відкритого каналу RDS(on) становить близько 0.1 Ом, що дозволяє знизити втрати потужності під час комутації навантаження.

Корпус TO-220AB забезпечує ефективне відведення тепла та дозволяє встановлювати транзистор на додатковий радіатор під час роботи з підвищеною потужністю.

Характеристики:

  • Модель: IRF9Z34N
    • Тип: польовий транзистор MOSFET
    • Полярність каналу: P-Channel
    • Максимальна напруга стік-витік VDS: 55 В
    • Максимальний постійний струм стоку ID: 19 А
    • Напруга затвор-витік VGS: ±20 В
    • Порогова напруга затвора VGS(th): до 4 В
    • Опір відкритого каналу RDS(on): близько 0.1 Ом
    • Максимальна потужність розсіювання: 68 Вт
    • Загальний заряд затвора Qg: до 35 нКл
    • Час наростання: близько 55 нс
    • Вихідна ємність Coss: близько 280 пФ
    • Максимальна температура кристала: +175 °C
    • Корпус: TO-220AB
    • Тип монтажу: вивідний THT

    • Застосування:

  • Імпульсні джерела живлення
    • DC-DC перетворювачі
    • Зарядні пристрої
    • Керування електродвигунами
    • Силові електронні ключі
    • Системи автоматизації
    • Ремонт електронної техніки

    • Комплектація:

  • MOSFET-транзистор IRF9Z34N — 1 шт.

    • Характеристики

    Кількість в упаковці
    • 1 шт
    Країна-виробник товару

    Відгуки та питання

    Відгуків ще немає

    Станьте першим, хто поділиться своєю думкою!